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胡世谦研究员团队在国际学术期刊《Applied Physics Letters》上发表了题为“Phonon Transport Across Si/Ge Interfaces with Amorphous Interlayers: Elastic–Inelastic Phonon Competition”(非晶中间层调控下Si/Ge界面的声子输运:弹性与非弹性效应的博弈)的学术论文。该研究围绕异质半导体界面的热管理问题,系统探讨了非晶中间层对Si/Ge界面热导的调控机制。他们发现非晶中间层在强振动失配条件下可实现优于晶体中间层的热导性能。这一提升归因于非晶结构引入的更强声子谱重叠与更宽分布的界面振动模态。特别值得关注的是,研究还揭示了界面热导随中间层质量变化呈现平台行为的物理机制,源于弹性与非弹性声子输运之间的竞争与平衡。相关成果为非晶界面热导优化提供了新视角,对提升微纳器件热管理效率具有重要参考价值。
研究论文的第一作者为成人直播下载-成人直播中文
2023级博士研究生岳津丞。南京师范大学马登科副教授和云南大学胡世谦研究员为论文的共同通讯作者。研究获得国家自然科学基金、云南省基础研究计划和云南省“兴滇英才支持计划”青年人才专项等经费资助。
论文链接://doi.org/10.1063/5.0286699

图 Si/晶体或非晶中间层/Ge结构示意图、非晶中间层诱导的界面模态展宽以及界面弹性和非弹性输运竞争的表征